توضیحات
چکیده
حامل های ذاتی نیمه هادی (n و p) ، نقش اساسی را در فتودیودهای MCT در طول موج LWIR بخصوص در دمای اتاق، بازی میکنند که به خاطر تولید گرمایی بالای حامل ها در این دماست.در این دما، بازترکیب اوژه باعث کم شدن طول عمر حامل های اقلیت و افزایش تولید حامل های آزاد می شود که منجر به جریان تاریکی زیاد و در نتیجه نویز بالا می گردد.سرماسازی یکی از راه های فایق آمدن بر این نویز و اثر اوژه است.اما باید توجه داشت که تجهیزات سرماساز برای ای فتودیدها، گرانقیمت و حجیم هستند.در این مقاله سعی شده که کارکرد این فتودیودها در دمای بالا انجام شود.طراحی این فتودیود مبتنی بر خنثی سازی اثر اوژه در MCT از طریق کاهش چگالی حامل ها می باشد.نشان داده شده است که خنثی سازی اثر اوژه تاثیری دوگانه هم بر روی کاهش جریان تاریکی و هم بر افزایش جریان نوری دارد. در طرح این فتو دیود از یک لایه MCT با آلایش کم به عنوان جاذب نور(Absorber) استفاده شده است و آن را v (برای n-type) یا л (برای p-type) می نامیم که بین دو MCT دیگر با دوپینگ زیاد و با باندگپ بزرگتر ⁺P و ⁺N ساندویچ شده است. یعنی ⁺N⁺ / л/ P یا ⁺P⁺ / v/ N اثر خنثی سازی اثر اوژه ، یک مقاومت تفاضلی منفی در منحنی I-V فتودیود مشاهده می گردد.
ABSTRACT
The inherent semiconductor carriers (n and p) play an essential role in the MCT photodiodes at LWIR wavelengths, especially at room temperature, due to the high thermal conductivity of the carriers at this temperature. At this temperature, the recombination of the eyegue reduces the length The life of minority carriers and the increase in the production of free carriers, which leads to a lot of darkness and thus the noise is raised. The deterioration is one of the ways to overcome this noise and the effect of the aye. But it should be noted that the cold storage Photodiases are expensive and bulky. In this paper, we tried to perform these photodiode at high temperatures. The design of this photodiode is based on the neutralization of the effect The effect of MCA on the MCT is through the reduction of carrier density. It has been shown that the neutralization of the Aegean effect has a dual effect on reducing the flow of darkness and on increasing the flow of light. In the design of this photodiode, a low-frequency MCT layer is used as an Absorber, and is called v (for n-type) or n (for p-type), which is between two other MCTs with high doping And with a larger bundpipe, the P + and P + N have been sandwiched. Namely, ν + / l / P or +/- P + / v / N, the effect of austerity neutralization, a negative differential resistance is observed in the I-V photodiode curve.
Year: 2017
Publisher : Second National Conference on Knowledge and Technology of Engineering Sciences of Iran
by : Hossein Shamshiri, Mohammad Alavi
File Information: Persian Language/ 6 Page / size: 863 KB
Only site members can download free of charge after registering and adding to the cart
سال : 1395
ناشر : دومین کنفرانس ملی دانش و فناوری علوم مهندسی ایران
کاری از : حسین شمشیری، محمد علوی
اطلاعات فایل : زبان فارسی / 6 صفحه / حجم : KB 863
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.