توضیحات
چکیده
در اين مقاله با استفاده از روش مونتكارلو ضريبهاي يونيزاسيون الكترون و حفره در Al0.4Ga0.6Nبا ساختار وورتزايت را محاسبه مي كنيم و نشان ميدهيم كه در Al0.4Ga0.6Nضريب يونيزاسيون برخوردي الكترون بزرگتر از حفره است. بر همين اساس بهره يك آشكارساز نوري بهمني همگون ساخته شده با Al0.4Ga0.6Nرا محاسبه ميكنيم و با بهره اندازه گيريشده مطابقت ميدهيم، در ادامه ضريب نويز اضافي، ولتاژ شكست و ميدان شكست اين افزاره را نيز محاسبه و تحليل ميكنيم. همچنين با تغيير طول ناحيه تكثير تغييرات اين پارامترها را تحليل مي كنيم.
مقدمه
اولين عنصر در بخش گيرنده نوري، آشكارساز نوري است. اين افزاره نور تابيده شده را به جريان الكتريكي متناسب با نور دريافتي تبديل ميكند. وجود بهره پارامتر مهمي است كه استفاده از آشكارساز نوري بهمني را توصيه ميكند. گاليم نيترايد (GaN) يا به نوعي تركيبهاي AlxGa1-xNبه دليل شكاف انرژي بزرگي كه دارند گزينه مناسبي براي آشكارسازي طول موجهاي فرابنفش هستند. اين آشكارسازها در دماهاي نسبتا زياد كار ميكنند و جريان تاريك (نشتي) كمي دارند. آشكارسازهاي فرابنفش نسبت به آشكارسازهاي ساير طول موجها ولتاژ باياس بيشتري دارند كه ناشي از شكاف انرژي بزرگ آنها است. تركيبهاي AlxGa1-xNاز لحاظ شكاف انرژي بازه وسيع 4/3 eVتا 2/6 eVرا پوشش ميدهند. در اين بازه، به ازاي ساختار وورتزايت و همه كسرهاي مولي xشكاف انرژي مستقيم است. گزارش هاي متعددي از ساخت اين تركيبها با روش بخار لايهنشاني منتشر شده است كه آنها را بر روي زيرلايه SiCبا كيفيت مناسب رشد داده اند.اين تركيبها گزينه مناسبي براي آشكارسازي نور فرابنفش اشعه خورشيد در محدوده طولموج 280نانومتر هستند. يكي از كاربردهاي رايج آشكارسازهاي Al xGa1-xNسنجش تخريب لايه ازن است. اين آشكارسازها با توجه به محدوده آشكارسازيشان، نيازي به بكارگيري صافي طول موجي جانبي ندارند. بنابراين هزينه ساخت دستگاه سنجش تخريب لايه ازن با استفاده از تركيبهاي AlxGa1-xNبه طور چشمگيري كاهش يافته است.
ABSTRACT
In this paper, using the Montecarlo method, we calculate the ionization coefficient of the electron and cavity in Al0.4Ga0.6N with the corrosion structure and show that in Al0.4Ga0.6N the electron collision ionization coefficient is larger than the cavity. Accordingly, we calculate the interest of a homogeneous avalanche optical detector made with Al0.4Ga0.6N and match the measured gain, then we calculate and analyze the additional noise factor, the failure voltage and the failure field of this device. Also, by changing the length of the amplitude region, we analyze the changes of these parameters.
INTRODUCTION
The first element in the optical receiver is the light detector. This light-emitting device turns into an electric current proportional to the light intake. The existence of an interest is an important parameter that recommends the use of Bahman’s optical detector. Gallium nitride (GaN), or AlkGa1-xN compounds of some kind, due to their large energy gap, are a good option for detecting ultraviolet wavelengths. These detectors work at relatively high temperatures and have little leakage. Ultraviolet detectors have more voltage bias than detectors of other wavelengths due to their large energy gap. The AlxGa1-xN combinations cover a wide range of energy ranges from 4/3 eV to 2,6 eV. In this interval, for the structure of corrosion and all molecular fractions, the energy gap is straight. Several reports have been published on the formation of these compounds with a layer of vapor method, which has grown them on suitable SiC substrates. These compounds are a good option for detecting ultraviolet light from the sun in a 280 nm wavelength range. One of the common uses of Al xGa1-xN detectors is the ozone layer degradation measure. Detectors do not need to use lateral wavelengths due to their apparent range. Thus, the cost of making the ozone layer degradation device using AlxGa1-xN compounds has significantly decreased.
Year: 2010
Publisher : Eighteenth International Energy Conference of Iran
By : Mohammad Soroush, Mohammad Kazem Moravj Farshi and Kamyar Saghafi
File Information: persian Language/ 5 Page / size: 464 KB
سال :1389
ناشر : هجدهمین کنفرانس بین المللی برق ایران
کاری از : محمد سروش ، محمدكاظم مروج فرشي و كاميار ثقفي
اطلاعات فایل : زبان فارسی / 5 صفحه / حجم : KB 464
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.