توضیحات
چکیده
تيريستور يك وسيله نيمه هادي چهار لايه سه اتصالي با سه خروجي است و از لايه هاي نوع p و n سيليكوني كه به طور متناوب قرار گرفته اند ساخته شده اند .. ناحيه p انتهايي آند ، ناحيه n انتهاي كاتد و ناحيه p داخلي دريچه يا گيت است . آند از طريق مدار به طور سري به كاتد وصل مي شود . اين وسيله اساساً يك كليد است و همواره تا زماني كه به پايانه هاي آند و دريچه ولتاژ مثبت مناسبي به كاتد اعمال نشده است در حالت قطع (حالت ولتاژ مسدود كننده ) باقي مي ماند و امپدانس بينهايتي از خود نشان خواهد داد . در حالت وصل و عبور جريان بدون احتياج به علامت (يا ولتاژ) بيشتري روي دريچه به عبور جريان ادامه خواهد داد . در اين حالت به طور ايده آل هيچ امپدانسي در مسير جريان از خود نشان نمي دهد . براي قطع كليد و يا برگرداندن تيريستور به حالت خاموشي بايستي روي دريچه علامت و يا ولتاژي نباشد و جريان در مسير آند به كاتد به صفر تقليل يابد . تيريستور عبور جريان را فقط در يك جهت امكان پذير مي سازد . اگر به پايانه هاي تيريستور ولتاژ باياس خارجي اعمال نشود ، حاملهاي اكثريت در هر لايه تا زماني كه ولتاژ الكتروستاتيكي داخلي به وجود آمده از انتشار بيشتر حاملها جلوگيري كند ، منتشر مي شوند.
ABSTRACT
Thyristor is a quadrupole semiconductor device with three outputs and three outputs and is made of alternately positioned silicon p and n layers. Is . The anode is serially connected to the cathode through the circuit. This device is essentially a key and will always remain in the off state (blocking voltage mode) until the anode and valve terminals are properly applied to the cathode, and will show infinite impedance. In the case of plugging in and passing through the valve, it will continue to pass through the valve without requiring more signaling (or voltage). In this case, ideally, no impedance is present in the flow path. To switch off or turn the thyristor off, it must not be on the signal valve or voltage and the current on the anode to the cathode should be reduced to zero. The thyristor allows the passage of current in only one direction. If no external bias voltage is applied to the thyristor terminals, the majority carriers will be released in each layer as long as the internal electrostatic voltage created prevents further carrier propagation.
Year: ۲۰۱۲
Source : ۰
By : 0
File Information: persian Language/ 51 Page / size: 358 KB
سال : ۱۳۹۱
منبع : ۰
کاری از : ۰
اطلاعات فایل : زبان فارسی / 51 صفحه / حجم : 358 KB
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.