توضیحات
چکیده
در این مقاله، یک ساختار جدید براي ترانزیستورهاي اثر میدان FinFETبه منظور کاهش آثار خودگرمایی ارائه شده است. ایده اصلی این ساختار در مدور کردن لبه هاي فین در نزدیکی نواحی سورس و درین در این ترانزیستورها به منظورکنترل اثر خودگرمایی با کاهش مقاومت حرارتی فین ها می باشد. لذا این ساختار جدید، ترانزیستور با لبه هاي مدور (CV-FinFET) نامیده شده است. نتیجه شبیه سازي انجام شده نشان می دهد که در ساختار پیشنهاد شده می توان ماکزیمم دماي ترانزیستور را به نحو مطلوبی بهبود بخشید.
مقدمه
مزایاي ترانزیستورهاي MOSFETدر تکنولوژي سیلیسیم روي عایق (SOI) در مقایسه با ترانزیستورهاي بالک که شامل کاهش اثرات کانال کوتاه، افزایش سرعت مدار و کمتر بودن خازن هاي پارازیتی می باشد، باعث افزایش کارایی این نوع ترانزیستورها در مدارهاي آنالوگ و دیجیتالی که با توان و ولتاژ پایین کار می کنند، شده است . این مزایا در تکنولوژي SOI به علت وجود لایه اکسید مدفون است که در بیشتر موارد، این لایه از جنس اکسید سیلیسیم (SiO٢) اما هدایت . باشدمی گرمایی پایین اکسید مدفون سیلیسیم در مقایسه با( عایق) مشکلات زیادي از کاهش قابلیت خنک شدن افزاره و پدیدار شدن اثر خودگرمایی ایجاد کرده است. همچنین با افزایش دما، قابلیت تحرك الکترون ( موبیلیتی) در افزاره ها کاهش می یابدکه باعث کاهش ماکزیمم جریان ترانزیستور در حالت اشباع می شود. ساختار SOI FinFETبه عنوان بهترین انتخاب در افزاره هاي CMOSدر مقیاس نانومتر به علت کاهش چشمگیر در اثرات کانال کوتاه، جریان راه اندازي مناسب و شیب زیر آستانه ي ایده آل می باشد. از طرف دیگر، فین ها در ترانزیستور FinFETاز لایه هاي نازك سیلیسیمی تشکیل شده اند و با توجه به این که هدایت گرمایی در لایه هاي نازك نیمه هادي خیلی ناچیز و در حدود 9درصد کمتر از هدایت گرمایی نوع بالک با ضخامت لایه 10در حدود سیلیسیم نانومتر پیش بینی شده است.
ABSTRACT
In this paper, a new structure for the effects of the FinFET Field Effects transistors is presented to reduce the effects of self-control. The main idea of this structure is to circle the fin edges near the source and the drain regions in these transistors in order to control the self-heating effect by decreasing the thermal resistance of the Finns. Therefore, this new structure is called Circular Edge (CV-FinFET) transistor. The simulation result shows that in the proposed structure, the maximum temperature of the transistor can be optimally improved.
INTRODUCTION
Advantages of MOSFET transistors in silicon-on-insulating (SOI) technology compared to low-pass transistors, which include reducing the effects of a short channel, increasing circuit speed and lowering parasitic capacitors, increase the efficiency of these transistors in analogue and digital circuits with power and voltage Down work, has been. These advantages in SOI technology are due to the buried oxide layer, which in most cases, this layer is made of silicon oxide (SiO2) but conductive. The low thermal energy of silicon oxide compared with (insulating) has caused a lot of problems in reducing the device’s cooling capacity and the appearance of self-harm. Also, with increasing temperature, the mobility of electrons (moblity) in the devices decreases, which reduces the maximum flow of transistors in saturated state. The SOF FinFET structure is best suited for nanoscale CMOS devices due to a significant reduction in the effects of a short channel, proper start up and slope below the threshold. On the other hand, fins in the FinFET transistor are composed of thin silicon layers, and given that the thermal conductivity in the thin layer of the semiconductor is negligible and 9% less than the thermal conductivity of the bulk type with a thickness of 10 in the range of about a nanosecond of silicon Nose.
Year: 2010
Publisher : Eighteenth International Energy Conference of Iran
By : Ali Asghar Arravie, Mahsa Mehrad
File Information: Persian Language/ 4 Page / size: 701 KB
سال :1389
ناشر : هجدهمین کنفرانس بین المللی برق ایران
کاری از : علی اصغر اروجی , مهسا مهراد
اطلاعات فایل : زبان فارسی / 4 صفحه / حجم : KB 701
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.