توضیحات
چکیده
محاسبات Abintioدر سطح محاسباتی HFو با مجموعه پایه * 6-31Gبرای ارزیابی فاصله بین اتمی در رسانش الکترونی نانوسیم های سیلیکونی به کار گرفته شده است. نانوساختارهای سیلیکونی با فاصله های بین اتمی متفاوت در سیستم های یک بعدی مورد بررسی قرار گرفتند. این نانوساختارها دارای تقارنهای متفاوتی هستند و بسته به نوع تقارن، فواصل بین اتمی نیز متفاوت خواهند بود. هدف از این مطالعه، بدست آوردن فاصله ی مناسب، بین اتمهای سیلیکون است که درآن فاصله بیشترین رسانش سیستم ملاحظه میشود.
مقدمه
نانوسیم یک سیم به ابعاد یک نانومتر ( 9-10متر) است. در این مقیاس اثرات مکانیکی کوانتومی مهم هستند، از این رو این سیمها به عنوان “سیمهای کوانتومی” شناخته میشوند. انواع مختلفی از نانوسیمها وجود دارد، از جمله فلز (به عنوان مثال، نیکل،Au ،Pt )نیمه هادی (به عنوان مثال ،GaN ،Si ، InPو غیره) و عایق (به عنوان مثال،TiO2 ،SiO2 )نانوسیم های مولکولی از تکرار واحدهای مولکولی یا ارگانیک (به عنوان مثال (DNAیا غیر معدنی (به عنوان مثالMo6S9-xIx )تشکیل شده است. نانوسیمها میتوانند در یک ویژگی نزدیک به عنوان اجزای فناوری نانو برای ایجاد مدارهای الکتریکی از ترکیبات که قادر به تشکیل مدارهای بسیار کوچک باشند استفاده شوند. مواد در طبیعت میتوانند تحت فشار، فاصله های مختلف بین اتمی داشته باشند، که هر چه فاصله ی بین اتمی کمتر باشد این فشار افزایش میابد. نانوسیم های سیلیکونی یکی از مهمترین نیمه رساناهای یک بعدی هستند که تا اندازه ای بدلیل پیاده سازی و اجرای آماده ی آنها درصنایع مدرن و در فرآیندهای ثابت استفاده میشود. انتظار می رود نانوسیم های سیلیکونی نقش مهمی در برنامه های کاربردی مانند سلول های خورشیدی، سنسورها، باتری های لیتیوم و کاتالیزورها با توجه به خواص وابسته به سطح آنها داشته باشد. نانوسیم های سیلیکونی دارای مشخصه های ممتاز مختلفی هستند، بطور قابل ملاحظه ای میتوانند تغییرات رسانایی n-i-pدر مشخصات نقل و انتقالی به محض قرار گرفتن در معرض محیط های با pHهای متفاوت را تحمل کنند، چنین خواص نقل وانتقالی وابسته به سطح برای طراحی نانو تجهیزات مهم هستند.
ABSTRACT
Abintio calculations are based on the HF computational level and with a 6-31G base set to evaluate the atomic distance in the electron conduction of silicon nanowires. Silicon nanostructures with different atomic distances in one-dimensional systems were studied. These nanostructures have different symmetries and, depending on the type of symmetry, the interatomic distances will also be different. The purpose of this study is to obtain an appropriate distance between the atoms of silicon, which is the distance between the maximum conductivity of the system.
INTRODUCTION
The nanowire is a wire of one nanometer (10- 9-meter). On this scale, the mechanical effects of quantum are important, henceforth these wires are known as “quantum wires”. There are several types of nanowires, including metal (e.g., nickel, Au, Pt) semiconductors (eg GaN, Si, InP, etc.) and insulators (eg TiO2, SiO2), molecular nanowires from Repeat for molecular or organic units (eg, DNA or inorganic (e.g., Mo6S9-xIx). Nanosomes can be used in a near-similar feature as nanotechnology components to create electrical circuits of compounds that can form very small circuits. The materials in nature can have various atomic interferences under pressure, the lower the atomic distance, the greater the pressure. D. Silicon nanowires are one of the most important one-dimensional semiconductors that are partly due to their implementation and implementation in modern technologies and in fixed processes. Silicon nanowires are expected to play an important role in applications such as solar cells , Sensors, lithium batteries, and catalysts, depending on their surface-related properties. Silicon nanowires have different distinctive characteristics, can significantly affect Ni-P conductivity changes in transfer specifications as soon as they are exposed to the environment Different pHs tolerate such properties Level-dependent transitions are important for the design of nano-equipment.
Year: 2017
Publisher : National Congress of Chemistry and Nanoscience, from Research to National Development
By : Seyed Mohammad Azami, Seyyedeh Zeynab Mousavi Mohammad
File Information: persian Language/ 5 Page / size: 598 KB
سال :1396
ناشر : کنگره ملی شیمی و نانوشیمی,از پژوهش تا توسعه ملی
کاری از : سيد محمد اعظمي ,سيده زينب موسوي محمره
اطلاعات فایل : زبان فارسی / 5 صفحه / حجم : KB 598
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.