توضیحات
چکیده
در اين پژوهش پس از آماده سازي نمونه ها وتهيه محلول مورد نظر عمليات لايه نشاني به روش چرخشي روي زيرلايه فولاد ضد زنگ L316انجام شده ونمونه ها پس از خشك كرن تحت عمليات حرارتي پخت قرار گرفتند. پارامتر هاي مختلف ساخت لايه هاي نازك PZTبه روش سل-ژل جهت دستيابي به فيلم با كيفت مناسب وبا ضخامت هاي مختلف ارز يابي و بهينه سازي گرديد. ازتصاوير SEMو آناليز ،XRD براي بررسي مورفولوژي سطح و وضعيت كريستالي لايه ايجاد شده، استفاده شد. در ضمن خواص مختلفي چون ضريب دي الكتريك، تانژانت تلفات، پلاريزاسيون باقيمانده) (Pr) وميدان مجبوركننده (Ec ) (بارسم منحني هيسترزيس P-E ) اندازه گيري شد. نتايج اوليه به دست آمده از اين مطالعه نشان داد كه لایه ایجاد شده خواص مناسبی دارد.
مقدمه
با توجه به خصوصيت مهم مواد پيزوالكتريك يعني تبديل انرژي الكتريكي به انرژي مكانيكي وبالعكس، درحال حاضر اين مواد داراي كاربرد هاي زيادي مي باشند. يكي از مهمترين و پركاربردترين مواد پيزوالكتريك، PZTاست كه فرمول ش ايمي يي آن Pb(ZrxTi1-x)O3يم باشد و نسبت به ساير مواد پيزوالكتريك از ضرائب پيزوالكتريك بالايي برخوردار است.در صورتي كه در تركيب PZTنسبت Zrبه Ti برابر 52به 48باشد، ماكزيمم ضرائب پيزوالكتريك و دي الكتريك را خواهيم داشت. در قديم از PZTتنها به صورت توده اي (Bulk) استفاده مي شد اما امروزه به دليل افزايش استفاده از مدارات مجتمع مبتني بر تكنولوژي نيمه هادي ، ايجاد لايه نازك براي كار با زير لايه سيليكن بسيار مورد توجه واقع شده است. ضمناًلايه هاي نازك PZTبه خاطر خواص پيزوالكتريك، فروالكتريك، پيروالكتريك ، (pyroelectric)و دي الكتريك مناسب بسيار مورد توجه واقع شده اند.خصوصيت مثبت ديگر لايه نازك PZTاين است كه عمليات ساخت آن در دماي نسبتاًپايين انجام مي شوند، در ضمن مي توان خواص الكتريكي آن را با تغيير تركيب، تغيير داد. از جمله كاربردهاي PZTمي توان به كاربرد در خازن ها حافظه ها سنسورها ومحركها( actuator فرستنده وگيرنده امواج آلتراسونيك (مثلاً براي تصوير برداري چشم، پوست، وسونوگرافي) ، مدولاتور هاي الكترواپتيك و… اشاره كرد. لايه هاي نازك PZTدر سالهاي اخير در ادوات MEMSنيز به وفور مورد استفاده واقع شده اند .
ABSTRACT
In this research, after the preparation of the samples and the solution of the solution, the operation of the address layer was performed on a S3 stainless steel substrate, and the specimens were subjected to heat treatment after drying of the cranium. Different parameters of making thin films of PZT were investigated and optimized using sol-gel method to achieve film with different thicknesses and different thicknesses. From SEM and analysis, XRD was used to study the surface morphology and crystalline formation of the layer. Meanwhile, various properties such as dielectric coefficient, loss tangent, residual polarization (Pr) and compelled force (Ec) (barometric hysteresis curve P-E) were measured. The initial results obtained from this study showed that the resulting layer has proper properties.
INTRODUCTION
Due to the important feature of piezoelectric materials, that is, the conversion of electrical energy to mechanical energy and energy, these materials are now widely used. One of the most important and most used piezoelectric materials is PZT, whose chemical formula is Pb (ZrxTi1-x) O3, and has a high piezoelectric coefficient as compared with other piezoelectric materials. If in the PZT composition the Zr to Ti ratio is 52 to 48, the maximum coefficients Piezoelectric and dielectric. In the old days, the PZT was used only in bulk, but nowadays due to increased use of integrated circuits based on semiconductor technology, the creation of a thin layer for working with silicon substrate has been very much considered. Thin PZT remnants have been very much considered for piezoelectric, ferroelectric, pyroelectric and dielectric properties. Another positive feature of the PZT thin layer is that its manufacturing operations are carried out at the paraffin temperature, while electrical properties It changed it by changing the composition. Among the PZT applications, it is possible to use sensors and transducers (transducer actuators of ultrasonic waves (for example, for the visualization of the eyes, skin, and ultrasound), electro-optical modulators, etc. in the capacitors of the memory, sensors and transducers, and the thin-film PZT layers in the devices in recent years. MEMS have also been used abundantly.
Year: 2007
Publisher : 11th National Congress of metallurgy of Iran
By : Sajjad Dehghani, Abdul Ghaffar Barzegar and Mohammad Hossein Sheikhi
File Information: persian Language/ 10 Page / size: 382 KB
سال : 1386
ناشر : يازدهمين كنگره ملي مهندسين متالورژی ايران
کاری از : سجاد دهقاني ،عبدالغفار برزگر و محمد حسين شيخي
اطلاعات فایل : زبان فارسی / 10 صفحه / حجم : KB 382
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.