محصولات

خانه مقالات-Article مقالات شیمی-Chemistry Articles بررسی متغییرها در پارامترهای مختلف الکتریکی انواع نانو ترانزیستورها
حراج!
بررسی متغییرها در پارامترهای مختلف الکتریکی انواع نانو ترانزیستورها .[taliem.ir]

بررسی متغییرها در پارامترهای مختلف الکتریکی انواع نانو ترانزیستورها

1,900 تومان 1,800 تومان

در این مقاله به طراحی و شبیه سازی ترانزیستور GAA استوانه ای و مکعبی در سایز نانومتر می پردازیم و با نرم افزار سیلواکو شبیه سازی می کنیم. تاثیر پارامترهای مختلف مانند ضخامت اکسید، طول گیت، غلظت ناخالصی، و طول و ارتفاع فین را بر مشخصه های ترانزیستور مانند نمودار ولتاژ جریان، ولتاژ آستانه، شیب زیرآستانه، جریان روشن و جریان خاموش بررسی و با ترنزیستورهای Fin FET و همچنین DG FET مقایسه می کنیم.

توضیحات محصول

چکیده

در این مقاله به طراحی و شبیه سازی ترانزیستور GAA استوانه ای و مکعبی در سایز نانومتر می پردازیم و با نرم افزار سیلواکو شبیه سازی می کنیم. تاثیر پارامترهای مختلف مانند ضخامت اکسید، طول گیت، غلظت ناخالصی، و طول و ارتفاع فین را بر مشخصه های ترانزیستور مانند نمودار ولتاژ جریان، ولتاژ آستانه، شیب زیرآستانه، جریان روشن و جریان خاموش بررسی و با ترنزیستورهای Fin FET و همچنین DG FET مقایسه می کنیم.

 

مقدمه

در این سالها با استفاده از قطعات الکترونیکی در حد نانومتر توان مصرفی انها کمتر شده و سرعت بالاتری را بدست می آورند, مانند موبایل و لب تاب های نسل جدید که از این تکنولوژی استفاده میکنند. در این مقاله به بررسی قطعه جدید از خانواده ترانزیستورهای فت با نام فین فت پرداخته و شبیه سازی انجام گرفته است. در این شبیه سازی ها, طول گیت 16nm, ارتفاع فین 40nm, عرض فین 10nm, غلظت ناخالصی بدنه1015cm3و غلظت ناخالصی نواحی سورن و درین 5*1020cm3, ولتاژ در این برابر 1Vو ولتاژگیت برابر با1 V در نطر گرفته میشود مگر اینکه خلاف آن ذکر شود.

 

ABSTRACT

In this paper, we design and simulate a cylindrical and cubic GAA transistor in a nanometer size and simulate it with the Silvac software. The effect of different parameters such as oxide thickness, gauge length, impurity concentration, and length and height of Finn on transistor characteristics such as voltage, current, threshold voltage, substrate gradient, current, and off current are compared with Fin FET transistors as well as DG FET we do.

INTRODUCTION

In these years, they use less electron microscope electronics at a nanometer scale, and they get higher speeds, such as mobile phones and the new generation of laptops that use the technology. This paper examines a new piece of Fet Transistors family called Finfet and simulations. In these simulations, the length of the 16nm gate, the height of the 40nm gate, the 10nm wavelength, the impurity density of the body of 1015cm3, and the impurity concentration of the Soren and 10 * 1020cm3 regions, the voltage at this 1V and the voltage of 1 V are taken unless otherwise noted. .

Year: 2017

Publisher : The first annual chemistry and chemical engineering conference in Iran

By : Mohammad Mehdi Mobin, Javad Badi, Hossein Firoozi, Rahele Gholami

File Information: Persian Language/ 12 Page / size: 496 KB

Download tutorial

سال : 1396

ناشر : اولین همایش سالانه شیمی و مهندسی شیمی ایران

کاری از :  محمدمهدی مبین ,جواد باعدی , حسین فیروزی ,راحله غلامی

اطلاعات فایل : زبان فارسی / 12 صفحه / حجم : KB 496

آموزش دانلود

دیدگاه‌ها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

Be the first to review “بررسی متغییرها در پارامترهای مختلف الکتریکی انواع نانو ترانزیستورها”