توضیحات
چکیده
نيمه هادي ها عناصري هستند كه از لحاظ هدايت ، ما بين هادي و عايق قرار دارند، و مدار آخر نيمه هاديها ، داراي 4 الكترون ميباشد. ژرمانيم و سيليكون دو عنصري هستند كه خاصيت نيمه هادي ها را دارا ميباشند و به دليل داشتن شرايط فيزيكي خوب ، براي ساخت نيمه هادي ديود ترانزيستور ، آي سي (IC ) و …. مورد استفاده قرار ميگيرد. ژرمانيم داراي عدد اتمي32 ميباشد . اين نيمه هادي ، در سال 1886 توسط ونيكلر كشف شد. اين نيمه هادي ، در سال 1810توسط گيلوساك و تنارد كشف شد. اتمهاي نيمه هادي ژرمانيم و سيليسيم به صورت يك بلور سه بعدي است كه با قرار گرفتن بلورها در كنار يكديگر ، شبكه كريستالي آنها پديد ميآيد . اتم هاي ژرمانيم و سيليسيم به دليل نداشتن چهار الكترون در مدار خارجي خود تمايل به دريافت الكترون دارد تا مدار خود را كامل نمايد. لذا بين اتم هاي نيمه هادي فوق ، پيوند اشتراكي برقرار ميشود. بر اثر انرژي گرمائي محيط اطراف نيمه هادي ، پيوند اشتراكي شكسته شده و الكترون آزاد ميگردد. الكترون فوق و ديگر الكترون هائي كه بر اثر انرژي گرمايي بوجود ميآيد در نيمه هادي وجود دارد و اين الكترون ها به هيچ اتميوابسته نيست. در مقابل حركت الكترون ها ، حركت ديگري به نام جريان در حفره ها كه داراي بار مثبت ميباشند، وجود دارد. اين حفره ها، بر اثر از دست دادن الكترون در پيوند بوجود ميآيد.
عملكرد نيمه هادي ديود و ترانزيستور
ABSTRACT
Semiconductors are conductive elements that we have between conductor and insulator, and the semiconductor end circuit has 4 electrons. Germanium and silicon are two elements that have semiconductor properties and because of their good physical properties, they are used for semiconductor transistor diodes, ICs, and so on. Germanium has atomic number 32. The semiconductor was discovered by Wennikler in 1886. The semiconductor was discovered in 1810 by Gilosack and Tennard. The semiconductor atoms of germanium and silicon are a three-dimensional crystal that forms crystals together, forming a crystalline network. Because of the lack of four electrons in its outer orbit, germanium and silicon atoms tend to receive electrons to complete their orbit. Therefore, a common bond is formed between the above semiconductor atoms. As a result of the thermal energy of the environment around the semiconductor, the shared bond is broken and the electron is released. The above electrons and other electrons created by heat energy are present in the semiconductor, and these electrons are not dependent on any atom. In contrast to the motion of electrons, there is another motion called the current in the holes that have a positive charge. These holes are caused by the loss of electrons in the bond.
Year: ۲۰۱۶
Source : ۰
By : Amir Hossein Lotfollahpour
File Information: persian Language/ 36 Page / size: 43.45 KB
سال : ۱۳۹۵
منبع : ۰
کاری از : اميرحسين لطف الهپور
اطلاعات فایل : زبان فارسی / 36 صفحه / حجم : KB 43.45
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.